IPP086N10N3 Transistor TO-220 pour circuits haute puissance et commutation

Composant Électronique IPP086N10N3 pour Commutation Haute Puissance

Le transistor à effet de champ canal N IPP086N10N3 s'impose comme un choix stratégique pour le développement de circuits de puissance. Ce lot de 5 unités répond aux critères d'exigence des architectures électroniques modernes nécessitant une gestion stricte des courants forts jusqu'à 80A sous une tension de 100V.

Optimisation des Circuits Intégrés

L'utilisation de ce semi-conducteur en boîtier TO-220 facilite la dissipation de la chaleur via l'ajout de radiateurs externes. Cette configuration est indispensable pour maintenir les performances nominales lors d'une utilisation continue dans des convertisseurs CC-CC ou des alimentations stabilisées.

Fiche Technique Estimative

• Référence Produit : IPP086N10N3
• Technologie : Transistor à effet de champ (MOSFET)
• Polarité : Canal N
• Courant de Drain Continu : 80A
• Tension Drain-Source : 100V

Intégrer ce transistor permet d'élever le seuil de tolérance de vos montages face aux pointes de courant, prévenant ainsi les pannes intermittentes sur les cartes mères d'équipements industriels.